一、課題組簡介

實驗室簡介：浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院半導體材料研究室專注于寬禁帶半導體材料相關的基礎研究，重點突破以碳化硅、氧化鎵和金剛石為代表的寬禁帶半導體的生長、加工、外延及成套裝備，解決一系列寬禁帶半導體領域的“卡脖子”技術難題，推動寬禁帶半導體材料的快速發展，提高我國在寬禁帶半導體領域的國際競爭力和影響力。研究室以中科院院士楊德仁教授、皮孝東教授為學術帶頭人，已有成員50多人。擁有中國科學院院士1人、浙江大學和浙江大學杭州科創中心雙聘教授2人、科創百人5人、博士后和技術開發專家21人，工程師13人，博士占比54%。研究室成立至今在advanced functional materials、physical review applied、applied physics letters、acs applied materials and interfaces、journal of materials chemistry a、journal of materials chemistry c、advanced electronic materialsl等國際期刊發表sci論文40余篇，申請國家發明專利70余項，其中授權12項，申請實用新型專利30余項，其中授權17項。

主要負責人簡介：韓學峰，求是科創學者（“科創百人計劃”研究員），浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院半導體材料研究室。2010年畢業于北京化工大學材料科學與工程學院并獲得學士學位，2016年2月于韓國首爾大學（snu）獲得材料科學與工程博士學位，隨后在首爾大學新素材研究所（riam）展開博士后研究。2016年7月在日本九州大學應用力學研究所從事博士后研究，師從國際知名晶體生長學者koichi kakimoto教授。2020年受聘于法國原子能和替代能源委員會（cea）,于法國格勒諾布爾阿爾卑斯大學（uga）從事博士后研究，師從jcg編輯thierry duffar教授。2021年加入浙江大學杭州國際科創中心。通過參與韓國，日本以及法國政府多項研究課題，參加晶體生長相關國際學術會議14次，中、日、韓國內學術會議二十余次。發表sci論文18篇，其中第一作者及通訊作者10篇，長期受邀擔任《journal of crystal growth》，《japanese journal of applied physics》，《crystal research and technology》,《crystals》等sci期刊審稿人。

二、重點引進方向:

寬禁帶半導體材料與設備模擬計算

方向1：碳化硅單晶生長過程計算

碳化硅生長過程中熱場，電磁場，流場以及化學反應的模擬計算；

方向2：碳化硅外延生長過程計算

碳化硅外延生長過程中流場、熱場，外延生長速率及化學反應的模擬計算；

方向3：碳化硅材料分子尺度計算（kmc, md）

碳化硅晶體生長過程中晶核分布和結晶方向等微觀尺度模擬計算。

三、申請條件

1.具有相關學科背景，包括微集成電路、微電子、材料、物理、電子科學與技術等相關專業、從事過交叉學科研究者優先考慮；

2.近三年內獲得博士學位，品學兼優，身心健康，年齡原則上不超過35周歲；

3.具有良好的團隊合作意識和較強的獨立工作能力；

4.具有良好的英語聽說讀寫能力；

5.保證全職從事博士后研究工作。

四、待遇及保障條件

1.根據科研工作能力提供具有競爭力的薪酬（含地方政府人才補助），具體面議（應屆博士畢業生另可獲得杭州市應屆生生活補貼10萬元）；

2.對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的，杭州市、蕭山區分別給予相應配套資助；

3.提供一流的實驗與科學研究條件；

4.協助申請杭州市、蕭山區人才配套用房；

5.工作期間表現優秀、業績突出者，如符合相應要求，可優先推薦申請科創中心“求是科創學者”崗位或技術開發崗位；

6.在站期間，符合條件者可申報科創中心相關系列高級專業技術職務；出站優秀者入職科創中心的可認定副研究員職稱，并可獲得地方政府80萬人才補貼。

五、申請材料:

1.個人簡歷；

2.表明研究能力和學術水平的成果（如：獲獎情況、鑒定、項目、學術論文等）及佐證材料；

3.博士學位論文。

申請人將以上材料電子版發送至科創中心人力資源部郵箱：xuefenghan@zju.edu.cn，附件和郵件主題均以“韓學峰課題組+博士后+姓名+今日招聘網jrzp.com”標明。【快捷投遞：點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進行職位報名】

六、聯系方式:

聯系人：徐老師

聯系電話：0571-82491973

地址：浙江省杭州市蕭山區建設三路733號